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硅片標(biāo)準(zhǔn)檢測

原創(chuàng)發(fā)布者:北檢院    發(fā)布時間:2024-12-07     點擊數(shù):

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GB/T 43315-2023

硅片流動圖形缺陷的檢測 腐蝕法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2023-11-27
  • 【CCS分類】H21金屬物理性能試驗方法
  • 【ICS分類】77.040金屬材料試驗

GB/T 43315-2023

硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2011-01-10
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2014-12-31
  • 【CCS分類】H26金屬無損檢驗方法
  • 【ICS分類】77.040.99金屬材料的其他試驗方法

GB/T 43315-2023

法庭科學(xué) 硅藻rbcL基因特異片段檢測 毛細管電泳熒光檢測法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GA行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-公共安全標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2021-10-14
  • 【CCS分類】A92犯罪鑒定技術(shù)
  • 【ICS分類】13.310犯罪行為防范

GB/T 43315-2023

半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無損檢測識別判據(jù) 第2部分:缺陷的光學(xué)檢測方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2023-12-28
  • 【CCS分類】L90電子技術(shù)專用材料
  • 【ICS分類】31.080.99其他半導(dǎo)體分立器件

GB/T 43315-2023

半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無損檢測識別判據(jù) 第3部分:缺陷的光致發(fā)光檢測方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2023-12-28
  • 【CCS分類】L90電子技術(shù)專用材料
  • 【ICS分類】31.080.99其他半導(dǎo)體分立器件

GB/T 43315-2023

硅片字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2017-10-14
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片切口尺寸測試方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2011-01-10
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片直徑測量方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H82元素半導(dǎo)體材料
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片彎曲度測試方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片包裝

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-YS行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬
  • 【發(fā)布日期】2015-04-30
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片訂貨單格式輸入規(guī)范

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2015-12-10
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無損檢測識別判據(jù) 第1部分:缺陷分類

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2023-12-28
  • 【CCS分類】L90電子技術(shù)專用材料
  • 【ICS分類】31.080.99其他半導(dǎo)體分立器件

GB/T 43315-2023

硅片表面平整度測試方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

太陽能電池用多晶硅片

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2019-06-04
  • 【CCS分類】H82元素半導(dǎo)體材料
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片厚度和總厚度變化測試方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片翹曲度非接觸式測試方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 【發(fā)布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H82元素半導(dǎo)體材料
  • 【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料

GB/T 43315-2023

硅片切割廢液處理處置方法

  • 【發(fā)布單位或類別】 CN-HG行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-化工
  • 【發(fā)布日期】2021-08-21
  • 【CCS分類】Z05污染控制技術(shù)規(guī)范
  • 【ICS分類】13.030.20液態(tài)廢物、淤泥

實驗儀器

實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器

測試流程

硅片標(biāo)準(zhǔn)檢測流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗方案僅供參考,因為每個樣品和項目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右,部分樣品有所差異

5.如果對于(硅片標(biāo)準(zhǔn)檢測)還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。

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  • 定制方案 提供非標(biāo)定制試驗方案
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