獲取試驗(yàn)方案?獲取試驗(yàn)報(bào)價(jià)?獲取試驗(yàn)周期?
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見諒。
硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2011-01-10
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-TUANTI團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2020-12-17
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【CCS分類】H80/84半金屬與半導(dǎo)體材料
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-TUANTI團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-12-27
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【CCS分類】H60/69有色金屬及其合金產(chǎn)品
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2014-12-31
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【CCS分類】H26金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法
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【ICS分類】77.040.99金屬材料的其他試驗(yàn)方法
晶片通用網(wǎng)格規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-03-25
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
碳化硅晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法 KOH腐蝕結(jié)合圖像識(shí)別法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-TUANTI團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2021-11-01
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【CCS分類】H20/29金屬理化性能試驗(yàn)方法
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【ICS分類】01.040詞匯
鍺單晶和鍺單晶片
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-06-04
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【CCS分類】H82元素半導(dǎo)體材料
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-03-25
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
晶片承載器傳輸并行接口要求
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2024-09-29
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【CCS分類】L97加工專用設(shè)備
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【ICS分類】31.260光電子學(xué)、激光設(shè)備
太陽(yáng)能電池用硅單晶片
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2018-09-17
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【CCS分類】H82元素半導(dǎo)體材料
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
人造石英光學(xué)低通濾波器晶片
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2016-10-13
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【CCS分類】L21石英晶體、壓電元件
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【ICS分類】31.160濾波器
碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2014-07-24
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【CCS分類】H83化合物半導(dǎo)體材料
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2015-12-10
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【CCS分類】H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
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【ICS分類】77.040金屬材料試驗(yàn)
晶片正面系列字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-YS行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬
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【發(fā)布日期】2014-10-14
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
硅及其它電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2009-10-30
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【CCS分類】H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2014-07-24
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【CCS分類】H83化合物半導(dǎo)體材料
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定 化學(xué)腐蝕法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2014-07-24
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【CCS分類】H83化合物半導(dǎo)體材料
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【ICS分類】29.045半導(dǎo)體材料
低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測(cè)量方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2017-10-14
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【CCS分類】H25金屬化學(xué)性能試驗(yàn)方法
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【ICS分類】77.040金屬材料試驗(yàn)
晶片承載器
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SJ行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子
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【發(fā)布日期】1988-04-08
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【CCS分類】L34其他電子元器件
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【ICS分類】
β-Ga203-N 型氧化鎵單晶片規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SJ行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子
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【發(fā)布日期】2018-01-18
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【CCS分類】
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【ICS分類】

實(shí)驗(yàn)儀器
測(cè)試流程

注意事項(xiàng)
1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。
2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考,因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。
3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右,部分樣品有所差異
5.如果對(duì)于(標(biāo)準(zhǔn)晶片檢測(cè))還有什么疑問(wèn),可以咨詢我們的工程師為您一一解答。