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晶片檢測檢測標準

原創發布者:北檢院    發布時間:2024-12-22     點擊數:

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注意:因業務調整,暫不接受個人委托測試望見諒。

GB/T 26066-2010

硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2011-01-10
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

T/ZSA 38-2020

SiC晶片的殘余應力檢測方法

  • 【發布單位或類別】 CN-TUANTI團體標準
  • 【發布日期】2020-12-17
  • 【CCS分類】H80/84半金屬與半導體材料
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

T/IAWBS 008-2019

SiC晶片的殘余應力檢測方法

  • 【發布單位或類別】 CN-TUANTI團體標準
  • 【發布日期】2019-12-27
  • 【CCS分類】H60/69有色金屬及其合金產品
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 31351-2014

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2014-12-31
  • 【CCS分類】H26金屬無損檢驗方法
  • 【ICS分類】77.040.99金屬材料的其他試驗方法

GB/T 16595-2019

晶片通用網格規范

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2019-03-25
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

T/CASAS 013-2021

碳化硅晶片位錯密度檢測方法 KOH腐蝕結合圖像識別法

  • 【發布單位或類別】 CN-TUANTI團體標準
  • 【發布日期】2021-11-01
  • 【CCS分類】H20/29金屬理化性能試驗方法
  • 【ICS分類】01.040詞匯

GB/T 5238-2019

鍺單晶和鍺單晶片

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2019-06-04
  • 【CCS分類】H82元素半導體材料
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 16596-2019

確定晶片坐標系規范

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2019-03-25
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 44631-2024

晶片承載器傳輸并行接口要求

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2024-09-29
  • 【CCS分類】L97加工專用設備
  • 【ICS分類】31.260光電子學、激光設備

GB/T 26071-2018

太陽能電池用硅單晶片

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2018-09-17
  • 【CCS分類】H82元素半導體材料
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 32988-2016

人造石英光學低通濾波器晶片

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2016-10-13
  • 【CCS分類】L21石英晶體、壓電元件
  • 【ICS分類】31.160濾波器

GB/T 30866-2014

碳化硅單晶片直徑測試方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2014-07-24
  • 【CCS分類】H83化合物半導體材料
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 32278-2015

碳化硅單晶片平整度測試方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2015-12-10
  • 【CCS分類】H21金屬物理性能試驗方法
  • 【ICS分類】77.040金屬材料試驗

YS/T 986-2014

晶片正面系列字母數字標志規范

  • 【發布單位或類別】 CN-YS行業標準-有色金屬
  • 【發布日期】2014-10-14
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 13387-2009

硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2009-10-30
  • 【CCS分類】H80半金屬與半導體材料綜合
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 30867-2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2014-07-24
  • 【CCS分類】H83化合物半導體材料
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

GB/T 30868-2014

碳化硅單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2014-07-24
  • 【CCS分類】H83化合物半導體材料
  • 【ICS分類】29.045半導體材料

SJ 3118-1988

晶片承載器

  • 【發布單位或類別】 CN-SJ行業標準-電子
  • 【發布日期】1988-04-08
  • 【CCS分類】L34其他電子元器件
  • 【ICS分類】金屬材料試驗

GB/T 34481-2017

低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2017-10-14
  • 【CCS分類】H25金屬化學性能試驗方法
  • 【ICS分類】77.040金屬材料試驗

GB/T 24578-2024

半導體晶片表面金屬沾污的測定 全反射X射線熒光光譜法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2024-07-24
  • 【CCS分類】H21金屬物理性能試驗方法
  • 【ICS分類】77.040

實驗儀器

實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器

測試流程

晶片檢測檢測標準流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考,因為每個樣品和項目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準。

3.關于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右,部分樣品有所差異

5.如果對于(晶片檢測檢測標準)還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。

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