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檢測cmos壞點的檢測標準

原創發布者：北檢院    發布時間：2025-01-30     點擊數：

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注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

MIL DSCC 06239A

微電路 數字 抗輻射 先進的CMOS 16位并行錯誤檢測和校正電路 三態輸出 單片硅（取代DSCC 06239）

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2007-04-17
  • 【CCS分類】航天用液壓元件與附件
  • 【ICS分類】航空航天制造用零部件

GB/T 41033-2021

CMOS集成電路抗輻射加固設計要求

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2021-12-31
  • 【CCS分類】V29半導體光敏器件
  • 【ICS分類】49.035集成電路、微電子學

MIL DSCC 06239

微電路 數字 抗輻射 先進的CMOS 16位并行錯誤檢測和校正電路 三態輸出 單片硅（S/S由DSCC 06239A提供）

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2006-12-21
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

GB/T 43063-2023

集成電路 CMOS圖像傳感器測試方法

  • 【發布單位或類別】 CN-GB國家標準
  • 【發布日期】2023-09-07
  • 【CCS分類】L54
  • 【ICS分類】31.200

MIL DESC 5962-93141

微電路 數字 高級CMOS 帶奇偶校驗發生器/檢測器的9位可鎖存收發器 帶非反相三態輸出 TTL兼容（由DSCC 5962-93141A提供S/S）

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】1993-04-16
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

SJ 20758-1999

半導體集成電路CMOS門陣列器件規范

  • 【發布單位或類別】 CN-SJ行業標準-電子
  • 【發布日期】1999-11-10
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

SJ 20750-1999

軍用CMOS電路用抗幅射硅單晶片規范

  • 【發布單位或類別】 CN-SJ行業標準-電子
  • 【發布日期】1999-11-10
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

QJ 2875-1997

半導體集成電路CMOS數字門陣列詳細規范

  • 【發布單位或類別】 CN-QJ行業標準-航天
  • 【發布日期】1997-03-03
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/657A Notice 3-Validation 3

微電路 數字 高速CMOS 緩沖門 單片硅

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2020-09-18
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/58D Notice 3-Validation 3

微電路 數字 CMOS 開關 單片硅 正邏輯

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2019-04-15
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL DESC 5962-92026

微電路 數字CMOS 定點處理器 單片硅

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】1992-10-14
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/657A Notice 2-Validation 2

微電路 數字 高速CMOS 緩沖門 單片硅

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2015-12-03
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL DSCC 5962-96665D

用于TTL-TO-CMOS或CMOS-TOCMOS操作、單片硅（取代DSCC 5962-96665C）的抗輻射CMOS六角電壓電平移位器數字微電路

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2005-09-08
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/58D Notice 2-Validation

微電路 數字 CMOS 開關 單片硅 正邏輯

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2014-06-25
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/52E Notice 3-Validation 3

微電路 數字 CMOS NOR門 單片硅 正邏輯

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2019-04-15
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/50F Notice 3-Validation 3

微電路 數字 CMOS Nand Gates 單片硅 正邏輯

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2019-03-13
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/754B Notice 3-Validation 3

微電路 數字 高級CMOS 鎖存器 單片硅

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2019-08-21
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/123B Notice 3-Validation 3

微電路 線性 Cmos 負邏輯 模擬開關 單片硅

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2018-09-19
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/171C Notice 3-Validation 3

微電路 數字 CMOS 或門 單片硅 正邏輯

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2018-06-20
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

MIL MIL-M-38510/170C Notice 3-Validation 3

微電路 數字 CMOS和門 單片硅 正邏輯

  • 【發布單位或類別】 US-MIL美國軍事規范和標準
  • 【發布日期】2018-10-26
  • 【CCS分類】
  • 【ICS分類】

實驗儀器

實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器

測試流程

檢測cmos壞點的檢測標準流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（檢測cmos壞點的檢測標準）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。

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