注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。
檢測樣品
通用電子元器件（破壞性物理分析）電子元器件電子元器件及設備（物理性能）電氣、電子產品、電子元器件電子元器件及設備（機械性能）電子元器件環境與可靠性試驗電子元器件及電氣元件電子元器件及設備(霉菌)
實驗周期
7-15個工作日，加急實驗一般5個工作日
檢測項目
玻璃鈍化層的完整性檢查鍵合強度內部水汽含量X射線照相檢驗有機錫化合物引出端強度密封性檢查聲學掃描顯微鏡檢查半導體集成電路老煉試驗隨機振動物理檢查掃頻振動（電子元器件）恒定加速度可焊性外部目檢制樣鏡檢球柵陣列（BGA）試驗方法設備及大組件恒定加速度機械沖擊粒子碰撞噪聲檢測芯片粘接的超聲檢測內部目檢掃描電子顯微鏡檢查溫度循環X射線檢查金相晶粒度分析芯片剪切強度開帽內部設計目檢掃描電子顯微鏡檢查（金屬化掃描電子顯微鏡檢查）內部目檢及形貌分析沖擊試驗耐溶劑性試驗穩定性烘焙（高溫壽命（非工作））粒子碰撞噪聲測試（PIND)電阻器老煉試驗恒定加速度重量耐濕六溴環十二烷細檢漏易燃性霉菌試驗掃描電子顯微鏡(SEM)檢查鍵合強度（破壞性鍵合拉力）耐濕（交變）外部目檢
檢測標準
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2021
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法2011.1
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法1018
微電路試驗標準方法 MIL-STD-883K:2016 2012.9
氣相色譜質譜法測定半揮發性有機化合物 EPA8270D:2014
半導體器件機械和氣候試驗方法 第14部分：引出端強度 GB/T4937.14-2018 第14部分
《半導體分立器件試驗方法》 GJB 128A-1997 方法1071
PEM-INST-001:塑封微電路（PEM）選擇、篩選和鑒定說明 NASA/TP-2003-212244 5.3.3
《微電子器件試驗方法和程序》 GJB 548B-2005 方法1015
環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Fh:寬帶隨機振動和導則 GB/T 2423.56-2018
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360A-1996 方法204
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法212
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 2003.1
各種質量等級軍用半導體器件破壞性物理分析方法 GJB 5914-2006 4.3.2
電子及電氣元件試驗方法 GJB360B-2009 方法211
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項目0103-2.3、0202-2.5、0207-2.6、0208-2.3、0101-2.5、0102-2.5、0104-2.3、0201-2.5、0203-2.5、0301-2.4、0302-2.3、0401-2.5、0601-2.6、0603-2.4、0801-2.5、0802-2.5、0803-2.3、1401-1.4、1402-1.3、1501-2.5、1502-2.4、1601-2.4
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2011A或2023A
球柵陣列（BGA）試驗方法 GJB 7677-2012 5 焊球剪切
《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作項目0902 晶體振蕩器
電工電子產品環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Ga和導則：穩態加速度 GB/T 2423.15-2008
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項目0101~1301中2.2條 1401-1.2、1402-1.2、1403-1.2、1501-2.2、1502-2.2、1601-2.2
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360A-1996 方法213
微電子試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法2020.1
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法2007
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2030
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法2004.21
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1、2013、2014或2017.1
微波組件通用規范 GJB 8481-2015 4.11.3
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法2077
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法107
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360A-1996 方法209
電子、電磁和機電元器件破壞性物理分析 MIL-STD-1580B:2003 12.1.1.3 16.1.1.3 16.5.1.2u003cbru003e21.1.1.3
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006 1103.2.4
球柵陣列（BGA）試驗方法 GJB 7677-2012 3 焊球共面性
鈹青銅的金相試驗方法 HB 7694-2001
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項目0902-2.9、1002-2.9、1003-2.11、1101-2.10、1102-2.10、1201-2.10、1202-2.10、1301-2.10、1403-1.7、
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法2071
球柵陣列（BGA）試驗方法 GJB 7677-2012 6 可焊性
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-97 2075
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 2018.1
軍用設備環境試驗方法 振動試驗 GJB150.16-1986
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2004A或2028
《半導體集成電路失效分析程序和方法》 GJB 3233-1998 第5.2.10條
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法2052
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2009A
環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Ea和導則：沖擊 GB/T 2423.5-2019
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法213
電工產品環境應力篩選方法 GJB 1032-1990 5.2
半導體器件機械和氣候試驗方法 第3部分：外部目檢 GB/T4937.3-2012 第3部分
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法215
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法217
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 1008.1
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006 0901.2.4u003cbru003e1101.2.4 1102.2.4 u003cbru003e1003.2.5
《電子及電氣元器件試驗方法》 GJB 360B-2009 方法108
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法2018.1
《電子及電氣元件試驗方法 》 GJB 360B-2009 方法212
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2026
微波組件通用規范 GJB 8481-2015 4.11.5
微波組件總規范 SJ 20527-1995 4.8.1
半導體器件機械和氣候試驗方法 第19部分：芯片剪切強度 GB/T4937.19-2018 第19部分
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法2009.1
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2018A
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2001A
金屬平均晶粒度測定方法 GB/T 6394-2017
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法2001.1
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1
電子及電氣元件試驗方法 MIL-STD-202G-2002 方法106G
電子電氣產品中六溴環十二烷的測定 氣相色譜-質譜聯用法 GB/T 29785-2013
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法2069
電子及電氣元件試驗方法 GJB360B-2009 方法112
電工電子產品著火危險試驗 GB/T5169.5-2020
軍用設備環境試驗方法 霉菌試驗 GJB 150.10-86
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項目0106-2.3、0701-2.3、0702-2.4、0901-2.4、1003-2.5、1101-2.4、1102-2.4、1201-2.4、1202-2.4、1301-2.4、
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-97 2037
半導體器件機械和氣候試驗方法 第21部分：可焊性 GB/T4937.21-2018 第21部分
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法2002.1
《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作項目0207 固體電解質鉭電容器
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法2069、2070、2072、2073、2074或2075
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548A-1996 方法2015A
微電子器件環境試驗方法 第1部分：試驗方法1000-1999 MIL-STD-883-1-2019 方法1004.7
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法2011.1或2023.2
《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作項目1202 半導體光電模塊
半導體光電模塊總規范 SJ 20642-1997 4.10.11
電子電氣產品中有機錫化合物的測定 第5部分：氣相色譜-質譜法 SN/T 2592.5-2011
軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006 0103.2.2 0202.2.2 0208.2.2 0803.2.2u003cbru003e0901.2.2u003cbru003e0902.2.2 u003cbru003e1101.2.2 1102.2.2 1103.2.2 u003cbru003e1003.2.2u003cbru003e1501.2.2
以上標準僅供參考，如有其他標準需求或者實驗方案需求可以咨詢工程師
實驗儀器
測試流程
注意事項
1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。
2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。
3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異
5.如果對于（通用電子元器件（破壞性物理分析）檢測）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。
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服務保障 一對一品質服務
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定制方案 提供非標定制試驗方案
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保密協議 簽訂保密協議，嚴格保護客戶隱私
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全國取樣/寄樣 全國上門取樣/寄樣/現場試驗
