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注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

砷化鎵檢測范圍

III-V族化合物, 半導體, 砷化物, 非線性光學材料, 光電子器件, 雜化材料, 化學氣相沉積材料, 光子集成器件, 電子薄膜, 高電子遷移率材料, 量子阱材料

砷化鎵檢測項目

鎵含量,砷含量,外觀和顏色,確認試劑,氧化還原電位,電導率,電阻率,晶體結構,晶格參數,雜質含量,表面形貌,尺寸測量,熱穩定性,光學性質,表面粗糙度,材料硬度,表面能,光譜特性,熱導率,比表面積,生長特性

砷化鎵檢測方法

1. 氫化物發生—原子熒光光譜法
該方法利用砷化鎵中的砷原子進行原子熒光光譜檢測，可快速、準確地檢測砷的含量。

2. 電感耦合等離子體質譜法(ICP-MS)
ICP-MS方法結合了高靈敏度和高選擇性，可用于測定砷化鎵中砷的含量，適用于低濃度的分析。

3. 毛細管電泳法
毛細管電泳法可用于分離和測定砷化鎵中的砷，具有較高的分辨率和準確性。

4. 離子色譜法（IC）
IC方法可應用于砷化鎵樣品中砷的分離和定量分析，適用于復雜礦石或合金混合物的檢測。

5. X射線熒光光譜法（XRF）
XRF方法可用于快速分析砷化鎵中的砷含量，非破壞性，適用于大批量樣品的分析。

砷化鎵檢測儀器

GFAAS, ICP-MS, XRF, SEM-EDS, AAS, FTIR, XRD, RAMAN, UV-Vis, TGA, DSC, ICP-OES, XPS, HPLC, XRF, X-ray Diffraction, Mass Spectrometry, NMR Spectroscopy, Electron Microscopy, Chromatography

砷化鎵檢測標準

SJ 20842-2002：砷化鎵表面鎵砷比的測試方法

GB/T 20228-2021：砷化鎵單晶

SJ 3242-1989(2017)：砷化鎵外延片

SJ 3242-1989：砷化鎵外延片

CNS 13625-1995：圓形砷化鎵單晶片產品標準

GB/T 30856-2014：LED外延芯片用砷化鎵襯底

GB/T 25075-2010：太陽能電池用砷化鎵單晶

SJ/T 11496-2015(2017)：紅外吸收法測量砷化鎵中硼含量

GB/T 18032-2000：砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法

SJ/T 11496-2015：紅外吸收法測量砷化鎵中硼含量

GB/T 8760-2020：砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

GB/T 11094-2020：水平法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 8758-2006：砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

SJ/T 11497-2015：砷化鎵晶片熱穩定性的試驗方法

GB/T 11068-2006：砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法

GB/T 11093-2007：液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

SJ 20844A-2018：半絕緣砷化鎵單晶微區均勻性測試方法

GB/T 8757-2006：砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法

SJ 3244.5-1989：砷化鎵和磷化銦材料補償度的測試方法

SJ 20843-2002：砷化鎵單晶AB微缺陷密度定量檢驗方法

SJ 3244.5-1989(2017)：砷化鎵和磷化銦材料補償度的測試方法

SJ/T 11497-2015(2017)：砷化鎵晶片熱穩定性的試驗方法

SJ 3249.3-1989：半絕緣砷化鎵中鉻濃度的紅外吸收測試方法

SJ 3249.3-1989(2017)：半絕緣砷化鎵中鉻濃度的紅外吸收測試方法

GB/T 35305-2017：太陽能電池用砷化鎵單晶拋光片

JJF 2064-2023：多結砷化鎵太陽電池校準規范光譜響應度

SJ 21536-2018：微波功率器件及集成電路用砷化鎵外延片規范

SJ 20635-1997：半絕緣砷化鎵剩余雜質濃度微區試驗方法

GB/T 19199-2015：半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法

SJ/T 11490-2015：低位錯密度砷化鎵拋光片蝕坑密度的測量方法

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（砷化鎵檢測）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。