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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。

檢測樣品：半導(dǎo)體材料

檢測項目

雜質(zhì)檢測，品質(zhì)因子檢測，性能檢測，靈敏度檢測，外觀檢測，純度檢測，光學(xué)檢測等

檢測周期：7-15個工作日，試驗可加急

檢測標準

CECC 50 002- 101 ISSUE 3-1985半導(dǎo)體材料 硅制 2N2221型;極性:負極-正極-負極2N2221A型,封裝材料:2N2222金屬型,接頭包裝:2N2222A集流器

CECC 50 002- 103 ISSUE 3-1985半導(dǎo)體材料 硅制 2N2906型;極性:負極-正極-負極2N2906A型,封裝材料:2N2907金屬型,接頭包裝:2N2907A集流器

DIN 50431-1988無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用直線配置的四探針直流法測定硅和鍺單晶體的比電阻

DIN 50433-1-1976無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用X 射線測向儀測定單晶體取向

DIN 50433-2-1976無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用反射光影法測定單晶體取向

DIN 50433-3-1982半導(dǎo)體材料的檢驗; 用勞埃反射法測定單晶體取向

DIN 50434-1986半導(dǎo)體材料的檢驗; 單晶硅試樣的(111) 和(100) 蝕面上晶體結(jié)構(gòu)缺陷的測定

DIN 50435-1988無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 四探針直流法測定硅或鍺片的比電阻徑向變化

DIN 50437-1979無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用紅外線干涉法測量硅外延生長層的的厚度

DIN 50438-1-1995無機半導(dǎo)體材料的檢驗;用紅外吸收法測定硅中雜質(zhì)含量:第1部分:氧

DIN 50439-1982半導(dǎo)體工藝材料的檢驗; 用電容--電壓法和水銀接點確定晶朊半導(dǎo)體材料中摻雜物的斷面

DIN 50440-1998半導(dǎo)體材料檢驗.用光導(dǎo)衰減法測定硅單晶復(fù)合載流子壽命;在桿上試件上測量

DIN 50441-1-1996無機半導(dǎo)體材料的檢驗;半導(dǎo)體片幾何尺寸的測量;第1部分:厚度和厚度變化

DIN 50441-2-1998半導(dǎo)體材料的檢驗;半導(dǎo)體片幾何尺寸的測量.第2部分:倒棱的檢驗

DIN 50445-1992半導(dǎo)體材料檢驗.電阻測量

DIN 50446-1995半導(dǎo)體材料的檢驗.硅外延層的缺陷類型和缺陷密度的測定

DIN 50452-1-1995半導(dǎo)體材料的檢驗.液體中粒子的分析方法.第1部分:顯微鏡測定粒子

GB/T 1550-2018非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T 6663.1-2007直熱式負溫度系數(shù)熱敏電阻器 第1部分:總規(guī)范

GB/T 7153-2002直熱式階躍型正溫度系數(shù)熱敏電阻器 第1部分：總規(guī)范

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（半導(dǎo)體材料檢測）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。